Estudio de eventos transitorios inducidos por radiación en memorias SRAM nanométricas

Torrens Caldentey, Gabriel

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dc.contributor	Bota Ferragut, Sebastián Antonio
dc.contributor	Departament de Física
dc.creator	Torrens Caldentey, Gabriel
dc.date	2012
dc.date.accessioned	2017-07-10T09:37:05Z
dc.date.available	2017-07-10T09:37:05Z
dc.identifier	http://ibdigital.uib.cat/greenstone/collect/tesisUIB/index/assoc/Torrens_.dir/Torrens_Caldentey_Gabriel.pdf
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11201/2613
dc.description	[spa] Los efectos de la radiación en circuitos electrónicos se conocen desde los comienzos de la carrera espacial en los años 60, pues fuera de la atmósfera terrestre se está expuesto a niveles más altos de radiación que en la superficie. Sin embargo, el escalado de la tecnología electrónica ha conllevado un aumento de su susceptibilidad a la radiación, que puede desembocar en errores de funcionamiento incluso a nivel de tierra. Esta tesis estudia un efecto de la radiación, en memorias SRAM (Static Random Access Memory), denominado evento transitorio, que se caracteriza por corromper los datos almacenados en la memoria sin dañarla permanentemente. Se estudian por simulación diversas técnicas para diseñar memorias más robustas frente a eventos transitorios. Además, se ha diseñado y fabricado un prototipo de SRAM que incorpora algunas de estas técnicas. Finalmente, se ha validado experimentalmente su eficacia mediante la irradiación controlada del circuito
dc.description	[eng] Radiation effects in electronic circuits are known since the beginning of the space race in the 1960s, because out of the terrestrial atmosphere, radiation exposure level is higher than on the surface. However, electronic technology scaling has led to an increase in radiation susceptibility that can result in operation errors even at ground level. This thesis deals with a radiation effect, in SRAMs (Static Random Access Memory), named transient event, which is characterized by corrupting data stored in the memory without causing any permanent damage to it. Several techniques to design more robust memories against radiation effects are studied by simulation. In addition, an SRAM prototype, including some of these techniques, has been designed and manufactured. Finally, the effectiveness of these techniques has been experimentally validated through controlled irradiation of the circuit.
dc.description	[cat] Els efectes de la radiació en circuits electrònics es coneixen des dels inicis de la carrera espacial als anys 60, ja que fora de l’atmosfera terrestre s’està exposat a nivells més alts de radiació que a la superfície. No obstant això, l’escalat de la tecnologia electrònica ha comportat un augment de la susceptibilitat a la radiació, que pot desembocar en errors de funcionament fins i tot a nivell de terra. Aquesta tesi estudia un efecte de la radiació, en memòries SRAM (Static Random Access Memory), anomenat event transitori, que es caracteritza per corrompre les dades emmagatzemades a la memòria sense danyar-la permanentment. S’estudien per simulació diverses tècniques per dissenyar memòries més robustes en front a events transitoris. A més, s’ha dissenyat i fabricat un prototipus d’SRAM que incorpora alguna d’aquestes tècniques. Finalment, s’ha validat experimentalment la seva eficàcia mitjançant la irradiació controlada del circuit.
dc.format	application/pdf
dc.language	spa
dc.publisher	Universitat de les Illes Balears
dc.relation	Tesis doctorals de la UIB
dc.rights	all rights reserved
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subject	Electronic Technology
dc.subject	memorias, SRAM, 6T, 8T, CMOS, robustez, radiación, tolerancia, mitigación, soft error, single event upset, SEU, single event effect, SEE, SER, carga crítica, Qcrit, diseño, layout, partículas alfa, estabilidad, SNM, MBU, MCU
dc.subject	memories, SRAM, 6T, 8T, CMOS, robustness, radiation, tolerance, mitigation, soft error, single event upset, SEU, single event effect, SEE, SER, critical charge, Qcrit, design, layout, alpha particles, stability, SNM, MBU, MCU
dc.subject	memòries, SRAM, 6T, 8T, CMOS, robustesa, radiació, tolerància, mitigació, soft error, single event upset, SEU, single event effect, SEE, SER, càrrega crítica, Qcrit, disseny, layout, partícules alfa, estabilitat, SNM, MBU, MCU
dc.title	Estudio de eventos transitorios inducidos por radiación en memorias SRAM nanométricas
dc.type	info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.doctorat	Doctorat en Enginyeria Electrònica (vigent)